聚合机械结构、电气电子、材料选型、密封设计和工程计算问题，沉淀可搜索、可复用的工程经验。
MOSFET 电压控多子器件、开关快 100k-2MHz、适低压小电流；IGBT 复合结构少子存储、耐压 600-6500V、开关 5-30kHz、适大功率。本文讲清驱动电压、导通损耗、SiC 冲击与变频器、EV 主驱等场景选型。